IRLR8726TRPBF

IRLR8726TRPBF. C (i): 2150pF. Omkostninger): 480pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (maks.): 150uA. IDss (min): 1uA. Ækvivalenter: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 4m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 15 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.35V. Vgs (th) min.: 1.35V. Spec info: Ultra-lav portimpedans. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 26/01/2025, 17:25.