IXFA130N10T2

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	66.58kr	83.23kr
2 - 2	63.25kr	79.06kr
3 - 4	59.92kr	74.90kr
5 - 9	56.59kr	70.74kr
10 - 14	55.26kr	69.08kr

Antal	U.P
1 - 1	66.58kr	83.23kr
2 - 2	63.25kr	79.06kr
3 - 4	59.92kr	74.90kr
5 - 9	56.59kr	70.74kr
10 - 14	55.26kr	69.08kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 14

Sæt med 1

IXFA130N10T2. C (i): 6600pF. Omkostninger): 640pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 360W. On-resistance Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 24 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 23:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!