MDF11N65B

MDF11N65B. C (i): 1650pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 49.6W. On-resistance Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 132 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 650V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Funktion: SMPS, højhastighedsskift. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 17:25.