Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

MJE15031G

MJE15031G
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 15.15kr 18.94kr
5 - 9 14.40kr 18.00kr
10 - 24 13.64kr 17.05kr
25 - 49 12.88kr 16.10kr
50 - 99 12.80kr 16.00kr
100 - 132 13.06kr 16.33kr
Antal U.P
1 - 4 15.15kr 18.94kr
5 - 9 14.40kr 18.00kr
10 - 24 13.64kr 17.05kr
25 - 49 12.88kr 16.10kr
50 - 99 12.80kr 16.00kr
100 - 132 13.06kr 16.33kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 132
Sæt med 1

MJE15031G. Hus: TO-220. Modstand B: Power transistor. BE-modstand: -150V. C (i): -8A. Omkostninger): 50W. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE15030G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 15:25.

Tilsvarende produkter :

Antal på lager : 77
MJE15031

MJE15031

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. ...
MJE15031
Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE15031. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
MJE15031
Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE15031. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
Sæt med 1
14.36kr moms inkl.
(11.49kr ekskl. moms)
14.36kr

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.