PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: GE. FT: 8 MHz. Funktion: S-L. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 60. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V

NPN transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 200 ns. tf (min): 175 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V

NPN transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-39. Hus (JEDEC-standard): TO-39. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N2905A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: forstærker, skiftetransistor. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 75. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V

NPN transistor, 0.6A, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. bemærk: >40. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: PNP. vcbo: 60V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-18, TO-18, 60V, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-18. Hus (JEDEC-standard): TO-18. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N2907A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 400mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 30 ns. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: VHF forstærker

NPN transistor, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. C (i): 30pF. Omkostninger): 8pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Hfe 100. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 75. Ic (puls): 0.8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF-S. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN transistor, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Hus: TO-92. Kollektorstrøm: 100mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-92. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Si-epitaksial plantransistor. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N3906. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39 ( TO-5 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Omkostninger): 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150...500 MHz. Funktion: S. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 75. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 350 ns. tf (min): 100 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, TO-92, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Hus: TO-92. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus (i henhold til datablad): TO-92Ammo Pack. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 30pF. Omkostninger): 8.5pF. Konditioneringsenhed: 2000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 30 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.75V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. C (i): 30pF. Omkostninger): 8.5pF. Konditioneringsenhed: 2000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 30. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 30 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, -50V, -50mA, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: -50V. Kollektorstrøm: -50mA. Hus: TO-92. Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 250. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 3V. Funktion: forforstærker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 160V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N5401. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

NPN transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. C (i): 75pF. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 4 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. C (i): 75pF. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: High Speed ​​​​Switching og Lineær forstærker. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 30. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 350V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. tf (min): 0.8us. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N5886

NPN transistor, 7A, 60V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. bemærk: hFE 20. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Spec info: TO-220AB

NPN transistor, 2A, 225V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 225V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Type transistor: PNP. vcbo: 275V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N6287G. Maksimal dissipation Ptot [W]: 160W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-66. Hus (i henhold til datablad): TO-66. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5 MHz. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 15. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 130V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5 MHz. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 90V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6488