Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 12.01kr | 15.01kr |
5 - 9 | 11.41kr | 14.26kr |
10 - 24 | 10.81kr | 13.51kr |
25 - 32 | 10.20kr | 12.75kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 12.01kr | 15.01kr |
5 - 9 | 11.41kr | 14.26kr |
10 - 24 | 10.81kr | 13.51kr |
25 - 32 | 10.20kr | 12.75kr |
MJE200G. Omkostninger): 80pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 65MHz. Max hFE-forstærkning: 180. Minimum hFE-forstærkning: 45. Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-225. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 25V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE210. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 14:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.