MOSFET transistor HGTG40N60B3

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	105.85kr	132.31kr
2 - 2	100.56kr	125.70kr
3 - 4	98.44kr	123.05kr
5 - 9	95.27kr	119.09kr
10 - 14	93.15kr	116.44kr
15 - 19	89.97kr	112.46kr
20 - 30	86.80kr	108.50kr

Antal	U.P
1 - 1	105.85kr	132.31kr
2 - 2	100.56kr	125.70kr
3 - 4	98.44kr	123.05kr
5 - 9	95.27kr	119.09kr
10 - 14	93.15kr	116.44kr
15 - 19	89.97kr	112.46kr
20 - 30	86.80kr	108.50kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 30

Sæt med 1

MOSFET transistor HGTG40N60B3. MOSFET transistor. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Germanium diode: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 170 ns. Td(on): 47 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Originalt produkt fra producenten Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/06/2025, 22:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!