N-P MOSFET transistorpar

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Mærkning på kabinettet: 4502C. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. On-resistance Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: ja . Spec info: erstatning for MOSFET. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SOP-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. On-resistance Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Type transistor: MOSFET. Funktion: Komplementær Enhancement Mode FET. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Komplementær Enhancement Mode FET. Idss: 1...5uA. bemærk: IDM--30Ap & 30Ap. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1.7V

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: MOSFET transistor, Rds (ON) meget lav. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Komplementær Enhancement Mode FET. Mærkning på kabinettet: P605. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.8W. RoHS: ja . Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Komplementær Enhancement Mode FET. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.8W. RoHS: ja . Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Mærkning på kabinettet: 4501GM. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. bemærk: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). bemærk: ID(AV)--N--9A P--8A. bemærk: Vdss 30V (N), -30V (P). Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.1W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: N&P PowerTrench MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. bemærk: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: DIP-8. Hus: DIP

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: *SMD TO-252-4L*. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 4. Funktion: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Antal terminaler: 8:1. RoHS: ja . Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. bemærk: Vds 30V & 30V. bemærk: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. bemærk: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Enhancement Mode DUAL MOSFET (N- og P-Channel) . Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. bemærk: serigrafi/SMD-kode KNP. Mærkning på kabinettet: KNP. Antal terminaler: 6. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Komplementær parforbedringstilstand MOSFET. Hus: SOT-363 ( SC-88 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-363

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). bemærk: serigrafi/SMD-kode 420. Mærkning på kabinettet: 420. Antal terminaler: 6. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: N&P PowerTrench MOSFET. Hus: TSOP. Hus (i henhold til datablad): SUPERSOT-6

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 2500. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: N-kanal transistor (Q1), P-kanal transistor (Q2). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: omplementary PowerTrench MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8

MOSFET transistor. C (i): 760pF. Omkostninger): 155pF. Kanaltype: N-P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). GS-beskyttelse: NINCS. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8