MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

Antal
Enhedspris
1-4
4.28kr
5-24
3.53kr
25-49
3.09kr
50-99
2.78kr
100+
2.47kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 123

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 35A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Driftstemperatur: -65...+175°C. Fremadspænding Vf (min): 1.5V. Funktion: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Halvledermateriale: silicium. Konditionering: -. Konditioneringsenhed: 1000. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM. Trr-diode (min.): 75 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.75V. Ækvivalenter: MUR1100ERLG. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 14:35

Teknisk dokumentation (PDF)
MUR1100E
20 parametre
Fremadgående strøm (AV)
1A
IFSM
35A
Hus
DO-41
Hus (i henhold til datablad)
DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm )
VRRM
1000V
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Driftstemperatur
-65...+175°C
Fremadspænding Vf (min)
1.5V
Funktion
Ultrafast “E” Series with High Reverse
Halvledermateriale
silicium
Konditioneringsenhed
1000
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
RoHS
ja
Spec info
IFSM
Trr-diode (min.)
75 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.75V
Ækvivalenter
MUR1100ERLG
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til MUR1100E