N-kanal transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

N-kanal transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
91.77kr
5-9
84.97kr
10-24
76.75kr
25+
74.46kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt
Ækvivalens tilgængelig

N-kanal transistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 80A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 780pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(fra): 200 ns. Td(on): 32 ns. Teknologi: V-MOS. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Hitachi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK1170
26 parametre
ID (T=25°C)
20A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.27 Ohms
Hus
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3P
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
2800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N MOSFET transistor
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
80A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
780pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
120W
Spec info
High speed switching Low drive current
Td(fra)
200 ns
Td(on)
32 ns
Teknologi
V-MOS
Trr-diode (min.)
500 ns
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Hitachi

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 2SK1170