Kategorier

På lager
Image produit
Toshiba

N-kanal transistor 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V

Produktreference : 2SK1213
Antal på lager : 1 stk. tilgængelig
Mængderabatter — Spar ved køb
MængdeEnhedsprisSpare
1+Bedste pris73.26 kr
Quantité minimum : 10 pièces · Multiple de 10
Total : 21,80 €
La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
Download det tekniske datablad (PDF)

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK1213):

Spænding Vds (maks.): 600V. Idss (maks.): 300uA. ID (T=25°C): 8A. On-resistance Rds On: 0.95 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal terminaler: 3. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Teknologi: V-MOS-L. GS-beskyttelse: ingen. Td(fra): 85 ns. Td(on): 40 ns. Mængde pr tilfælde: 1. Id(imp): 24A. Vgs (th) min.: 1.5V. C (i): 1400pF. Omkostninger): 250pF. Trr-diode (min.): 460 ns. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Afløbskildebeskyttelse: diode. Gate / kilde spænding Vgs: 20V