N-kanal transistor 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 0.95 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Id(imp): 24A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 250pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Td(fra): 85 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: V-MOS-L. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1.5V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45