N-kanal transistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Spænding Vds (maks.): 900V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 23A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 200pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja. Td(fra): 300 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: V-MOS. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Originalt produkt fra producenten: Fuji Electric. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45