N-kanal transistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

N-kanal transistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Antal
Enhedspris
1-4
69.75kr
5-24
65.51kr
25-49
61.74kr
50-74
58.44kr
75+
52.92kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 14

N-kanal transistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 1300pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 27A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 180pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Td(fra): 100 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Felteffekttransistor MOS II.5. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 1.5V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK1358
23 parametre
ID (T=25°C)
9A
Idss (maks.)
300uA
On-resistance Rds On
1.1 Ohms
Hus
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3P
Spænding Vds (maks.)
900V
C (i)
1300pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
High Speed, tr--25nS tf--20nS
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
27A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
180pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
150W
Td(fra)
100 ns
Td(on)
40 ns
Teknologi
Felteffekttransistor MOS II.5
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3.5V
Vgs (th) min.
1.5V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 2SK1358