N-kanal transistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V

N-kanal transistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V

Antal
Enhedspris
1-4
22.00kr
5-9
19.13kr
10-24
16.15kr
25+
14.40kr
Antal på lager: 27

N-kanal transistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 2.8 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3BP. Spænding Vds (maks.): 900V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 700pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 10A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K1461. Omkostninger): 300pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 3V. Td(fra): 200 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: V-MOS, S-L. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Sanyo. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK1461
27 parametre
ID (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
5A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
2.8 Ohms
Hus
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3BP
Spænding Vds (maks.)
900V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
700pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
N MOSFET transistor
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
10A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
K1461
Omkostninger)
300pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
120W
Port/emitterspænding VGE(th) min.
2V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
3V
Td(fra)
200 ns
Td(on)
15 ns
Teknologi
V-MOS, S-L
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Sanyo