N-kanal transistor 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanal transistor 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
14.79kr
5-24
12.60kr
25-49
11.25kr
50+
10.26kr
Antal på lager: 19

N-kanal transistor 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.09 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1100pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: Bilelektronik. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Id(imp): 108A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K2314. Omkostninger): 180pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja. Spec info: ESD Protected--2000V min. Td(fra): 140us. Td(on): 30us. Teknologi: Power Field-Effect Transistor. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 0.8V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2314
29 parametre
ID (T=25°C)
27A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.09 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
1100pF
Driftstemperatur
-50...+150°C
Funktion
Bilelektronik
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Id(imp)
108A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
K2314
Omkostninger)
180pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
75W
RoHS
ja
Spec info
ESD Protected--2000V min
Td(fra)
140us
Td(on)
30us
Teknologi
Power Field-Effect Transistor
Trr-diode (min.)
155 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
0.8V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba