N-kanal transistor 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-kanal transistor 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Antal
Enhedspris
1-4
68.75kr
5-24
62.23kr
25-49
57.36kr
50+
53.71kr
Antal på lager: 12

N-kanal transistor 2SK2480, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 3.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 900pF. Funktion: Højspændingskoblingsapplikationer. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 12A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 130pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja. Td(fra): 63 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Originalt produkt fra producenten: Nec. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2480
28 parametre
ID (T=25°C)
3A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
3.2 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F
Spænding Vds (maks.)
900V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
900pF
Funktion
Højspændingskoblingsapplikationer
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
12A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
130pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
35W
RoHS
ja
Td(fra)
63 ns
Td(on)
17 ns
Teknologi
MOSFET transistor
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
650 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3.5V
Vgs (th) min.
2.5V
Originalt produkt fra producenten
Nec