N-kanal transistor 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.9 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1800pF. Funktion: High Speed, H.V. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 15A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 105pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. Td(fra): 140 ns. Td(on): 80 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45