N-kanal transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

N-kanal transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
11.76kr
5-24
9.72kr
25-49
8.99kr
50+
8.31kr
Antal på lager: 25

N-kanal transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.33 Ohms. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 150pF. Funktion: Felteffekttransistor. GS-beskyttelse: Undertrykker. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Id(imp): 6A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: ZA. Omkostninger): 70pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. RoHS: ja. Td(fra): 150 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: MOS-type (L2.TT.MOSV). Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 0.8V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2615
29 parametre
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.33 Ohms
Hus
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-89 ( 2-5K1B )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
150pF
Funktion
Felteffekttransistor
GS-beskyttelse
Undertrykker
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Id(imp)
6A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
ZA
Omkostninger)
70pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.5W
RoHS
ja
Td(fra)
150 ns
Td(on)
30 ns
Teknologi
MOS-type (L2.TT.MOSV)
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
0.8V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba