N-kanal transistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V

N-kanal transistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
55.10kr
5-24
52.19kr
25-49
50.33kr
50+
48.43kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt

N-kanal transistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 200uA. On-resistance Rds On: 3.19 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220F15. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 450pF. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 16A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K2647. Omkostninger): 75pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Td(fra): 50 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.5V. Originalt produkt fra producenten: Fuji Electric. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2647
30 parametre
ID (T=100°C)
4A
ID (T=25°C)
4A
Idss (maks.)
200uA
On-resistance Rds On
3.19 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F15
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
450pF
Funktion
Switching med høj hastighed
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
16A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
K2647
Omkostninger)
75pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
40W
Td(fra)
50 ns
Td(on)
20 ns
Teknologi
FAP-IIS Series MOS-FET
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
450 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4.5V
Vgs (th) min.
3.5V
Originalt produkt fra producenten
Fuji Electric