N-kanal transistor 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-kanal transistor 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Antal
Enhedspris
1-4
83.76kr
5-9
74.88kr
10-24
67.84kr
25+
62.41kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 9

N-kanal transistor 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 2.3 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1200pF. Funktion: Høj hastighed, højspændingskobling, DC/DC-omformere. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 15A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K2717. Omkostninger): 20pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja. Td(fra): 200 ns. Td(on): 90 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2717
29 parametre
ID (T=25°C)
5A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
2.3 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F
Spænding Vds (maks.)
900V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
1200pF
Funktion
Høj hastighed, højspændingskobling, DC/DC-omformere
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
15A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
K2717
Omkostninger)
20pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
45W
RoHS
ja
Td(fra)
200 ns
Td(on)
90 ns
Teknologi
Felteffekttransistor
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
1300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 2SK2717