N-kanal transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V

N-kanal transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V

Antal
Enhedspris
1-4
33.02kr
5-9
29.22kr
10-24
24.82kr
25+
22.62kr
Antal på lager: 42

N-kanal transistor 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 700V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 1850pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Effekt: 175W. Funktion: High Speed ​​Power Switching. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): na. Id(imp): 48A. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 400pF. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Td(fra): 140 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor. Tf (min): TO-3P ( TO3P ). Trr-diode (min.): 2.5us. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Hitachi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK2828
25 parametre
ID (T=25°C)
12A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.9 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
TO-3P
Spænding Vds (maks.)
700V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
1850pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Effekt
175W
Funktion
High Speed ​​Power Switching
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
na
Id(imp)
48A
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
400pF
Port/kildespænding (fra) min.
2V
Td(fra)
140 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
N-kanal MOSFET transistor
Tf (min)
TO-3P ( TO3P )
Trr-diode (min.)
2.5us
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Hitachi