N-kanal transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

N-kanal transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
5.98kr
5-24
4.75kr
25-49
4.29kr
50+
3.83kr
Antal på lager: 140

N-kanal transistor 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. Bemærk: serigrafi/SMD-kode KE. C (i): 160pF. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Id(imp): 8A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: KE. Omkostninger): 85pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja. Td(fra): 120ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: MOS FET. Temperatur: +150°C. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 1.5V. Vgs (th) min.: 0.8V. Originalt produkt fra producenten: ROHM. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK3065
30 parametre
ID (T=100°C)
1.6A
ID (T=25°C)
2A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.32 Ohms
Hus
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-89 ( MTP3 )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
Bemærk
serigrafi/SMD-kode KE
C (i)
160pF
Funktion
Switching med høj hastighed
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Id(imp)
8A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
KE
Omkostninger)
85pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.5W
RoHS
ja
Td(fra)
120ns
Td(on)
20 ns
Teknologi
MOS FET
Temperatur
+150°C
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
1.5V
Vgs (th) min.
0.8V
Originalt produkt fra producenten
ROHM