N-kanal transistor 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1 Ohm. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 900V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 2200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K3878. Omkostninger): 45pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Td(fra): 120ns. Td(on): 65 ns. Trr-diode (min.): 1.4us. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14