N-kanal transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-kanal transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
31.49kr
5-24
27.87kr
25-49
23.53kr
50+
21.13kr
Antal på lager: 55

N-kanal transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.33 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 2400pF. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 52A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K4012. Omkostninger): 220pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja. Td(fra): 95 ns. Td(on): 70 ns. Teknologi: Felteffekttransistor, MOS-type (TT-MOS VI). Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK4012-Q
29 parametre
ID (T=25°C)
13A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.33 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
2400pF
Funktion
Skift af regulatorapplikationer
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
52A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
K4012
Omkostninger)
220pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
45W
RoHS
ja
Td(fra)
95 ns
Td(on)
70 ns
Teknologi
Felteffekttransistor, MOS-type (TT-MOS VI)
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
1000 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba