N-kanal transistor 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.35 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F ( 2-10U1B ). Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1400pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 18A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K4013 Q. Omkostninger): 130pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja. Td(fra): 220 ns. Td(on): 80 ns. Teknologi: Felteffekttransistor, MOS-type (TT-MOS IV). Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 1100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14