N-kanal transistor 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v
Antal
Enhedspris
1-4
9.96kr
5-24
8.49kr
25-49
7.48kr
50-99
6.79kr
100+
5.82kr
| Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige | |
| Antal på lager: 10 |
N-kanal transistor 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 3.7 Ohms. Hus: SMD. Hus (i henhold til datablad): SSFP. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 7pF. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. GS-beskyttelse: ja. Id(imp): 0.6A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 5.9pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.15W. Port/kildespænding (fra) max.: 1.3V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.4V. Td(fra): 150 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: silicium MOSFET transistor. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Sanyo. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
3LN01SS
23 parametre
ID (T=25°C)
0.15A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
3.7 Ohms
Hus
SMD
Hus (i henhold til datablad)
SSFP
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
7pF
Funktion
Ultrahigh-Speed Switching
GS-beskyttelse
ja
Id(imp)
0.6A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
5.9pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.15W
Port/kildespænding (fra) max.
1.3V
Port/kildespænding (fra) min.
0.4V
Td(fra)
150 ns
Td(on)
19 ns
Teknologi
silicium MOSFET transistor
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Sanyo