N-kanal transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC
Antal
Enhedspris
1-1
307.61kr
2-2
288.84kr
3-3
274.26kr
4-4
259.84kr
5-9
249.05kr
10-29
244.58kr
30+
244.39kr
| Antal på lager: 27 |
N-kanal transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Drain-source spænding (Vds): 1200V. On-resistance Rds On: 0.035 Ohms. Hus: TO-247AC. Effekt: 228W. Indbygget diode: ja. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 52A. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
AIMW120R035M1HXKSA1
9 parametre
Drain-source spænding (Vds)
1200V
On-resistance Rds On
0.035 Ohms
Hus
TO-247AC
Effekt
228W
Indbygget diode
ja
Kanaltype
N
Max drænstrøm
52A
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies