N-kanal transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

N-kanal transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
24.45kr
5-49
21.99kr
50-99
19.43kr
100+
17.75kr
Antal på lager: 58

N-kanal transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maks.): 4.1A. On-resistance Rds On: 0.052 Ohms. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 520pF. Funktion: Switching eller PWM applikationer. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Id(imp): 25A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 100pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. RoHS: ja. Td(fra): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

AO3407A
27 parametre
ID (T=100°C)
3.5A
ID (T=25°C)
4.1A
Idss
1uA
Idss (maks.)
4.1A
On-resistance Rds On
0.052 Ohms
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
520pF
Funktion
Switching eller PWM applikationer
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Id(imp)
25A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
100pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.4W
RoHS
ja
Td(fra)
19 ns
Td(on)
7.5 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diode (min.)
11 ns
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors