N-kanal transistor AO4262E, SO8
Antal
Enhedspris
1-4
14.36kr
5-9
8.97kr
10-19
7.89kr
20-49
7.30kr
50+
6.81kr
| Antal på lager: 5 |
N-kanal transistor AO4262E, SO8. Hus: SO8. : Forbedret. Drænkildespænding: 60V. Effekt: 2W. Egenskaber af halvleder: ESD-beskyttet. Gate-source spænding: ±20V. Montering / installation: SMD. Oplade: 15nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 13A. Originalt produkt fra producenten: Alpha and Omega Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
AO4262E
13 parametre
Hus
SO8
Forbedret
Drænkildespænding
60V
Effekt
2W
Egenskaber af halvleder
ESD-beskyttet
Gate-source spænding
±20V
Montering / installation
SMD
Oplade
15nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
13A
Originalt produkt fra producenten
Alpha and Omega Semiconductor