N-kanal transistor AO4264E, SO8
Antal
Enhedspris
1-4
10.25kr
5-9
6.37kr
10-19
5.29kr
20-49
4.70kr
50+
4.28kr
| Antal på lager: 100 |
N-kanal transistor AO4264E, SO8. Hus: SO8. : Forbedret. Drænkildespænding: 60V. Effekt: 2W. Egenskaber af halvleder: ESD-beskyttet. Gate-source spænding: ±20V. Montering / installation: SMD. Oplade: 7nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 10.5A. Originalt produkt fra producenten: Alpha and Omega Semiconductor. Antal på lager opdateret den 21/12/2025, 15:16
AO4264E
13 parametre
Hus
SO8
Forbedret
Drænkildespænding
60V
Effekt
2W
Egenskaber af halvleder
ESD-beskyttet
Gate-source spænding
±20V
Montering / installation
SMD
Oplade
7nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
10.5A
Originalt produkt fra producenten
Alpha and Omega Semiconductor