N-kanal transistor AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-kanal transistor AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
11.09kr
5-49
9.17kr
50-99
7.74kr
100+
6.90kr
Antal på lager: 72

N-kanal transistor AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (maks.): 20mA. On-resistance Rds On: 0.0098 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 8:1. C (i): 1980pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: FET i SMPS, belastningsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. IDss (min): 0.02mA. Id(imp): 60A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 317pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.1W. RoHS: ja. Td(fra): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect (SRFET). Trr-diode (min.): 11.2 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.3V. Vgs (th) min.: 1.5V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4710
30 parametre
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
12.7A
Idss (maks.)
20mA
On-resistance Rds On
0.0098 Ohms
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
8:1
C (i)
1980pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
FET i SMPS, belastningsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
12V
IDss (min)
0.02mA
Id(imp)
60A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
317pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
3.1W
RoHS
ja
Td(fra)
27 ns
Td(on)
5.5 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect (SRFET)
Trr-diode (min.)
11.2 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.3V
Vgs (th) min.
1.5V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors