N-kanal transistor AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-kanal transistor AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
7.29kr
5-49
6.12kr
50-99
5.42kr
100-199
4.85kr
200+
4.02kr
Antal på lager: 882

N-kanal transistor AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maks.): 20mA. On-resistance Rds On: 0.0039 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 8:1. C (i): 3760pF. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.1mA. Id(imp): 100A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 682pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. RoHS: ja. Td(fra): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect (SRFET). Trr-diode (min.): 18 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1.5V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4714
28 parametre
ID (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
20A
Idss
0.1mA
Idss (maks.)
20mA
On-resistance Rds On
0.0039 Ohms
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
8:1
C (i)
3760pF
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.1mA
Id(imp)
100A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
682pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
3W
RoHS
ja
Td(fra)
34 ns
Td(on)
9.5 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect (SRFET)
Trr-diode (min.)
18 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
1.5V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors