N-kanal transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-kanal transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
10.04kr
5-49
8.30kr
50-99
7.00kr
100+
6.24kr
Antal på lager: 48

N-kanal transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 20mA. On-resistance Rds On: 0.0058 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 8:1. C (i): 2154pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.1mA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 474pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.1W. RoHS: ja. Td(fra): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect (SRFET). Trr-diode (min.): 12 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1.3V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4716
30 parametre
ID (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
12A
Idss (maks.)
20mA
On-resistance Rds On
0.0058 Ohms
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
8:1
C (i)
2154pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.1mA
Id(imp)
180A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
474pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
3.1W
RoHS
ja
Td(fra)
25.2 ns
Td(on)
6.8 ns
Teknologi
Enhancement Mode Field Effect (SRFET)
Trr-diode (min.)
12 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1.3V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors