N-kanal transistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanal transistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
7.39kr
5-49
5.86kr
50-99
4.95kr
100+
4.35kr
Antal på lager: 2298

N-kanal transistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (maks.): 5uA. On-resistance Rds On: 6m Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 951pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: DC/DC spændingsomformer. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 96A. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 2500. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 373pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja. Spec info: Meget lav RDS(on) ved 10VGS. Td(fra): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Teknologi: Seneste Trench Power MOSFET-teknologi. Trr-diode (min.): 10.2 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1.8V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AOD518
32 parametre
ID (T=100°C)
42A
ID (T=25°C)
54A
Idss (maks.)
5uA
On-resistance Rds On
6m Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
951pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
DC/DC spændingsomformer
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
96A
Kanaltype
N
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
2500
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
373pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
1W
RoHS
ja
Spec info
Meget lav RDS(on) ved 10VGS
Td(fra)
18.5 ns
Td(on)
6.25 ns
Teknologi
Seneste Trench Power MOSFET-teknologi
Trr-diode (min.)
10.2 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
1.8V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors