N-kanal transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

N-kanal transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
15.07kr
5-24
13.05kr
25-49
11.53kr
50-99
10.18kr
100+
8.40kr
+5 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige
Antal på lager: 41

N-kanal transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Hus: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.71 Ohms. Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252AA. Spænding Vds (maks.): 500V. : Forbedret. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 962pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Drænkildespænding: 500V. Effekt: 178W. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Gate-source spænding: ±30V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 98pF. Oplade: 13.1nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 178W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 55 ns. Td(on): 24 ns. Trr-diode (min.): 332ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 5.7A. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.3V. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

AOD9N50
33 parametre
Hus
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
9A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.71 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
D-PAK TO-252AA
Spænding Vds (maks.)
500V
Forbedret
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
962pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Drænkildespænding
500V
Effekt
178W
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Gate-source spænding
±30V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
27A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
98pF
Oplade
13.1nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
178W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
55 ns
Td(on)
24 ns
Trr-diode (min.)
332ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
5.7A
Vgs (th) maks.
4.5V
Vgs (th) min.
3.3V