N-kanal transistor AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

N-kanal transistor AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
9.74kr
5-24
8.25kr
25-49
7.22kr
50-99
6.57kr
100+
5.63kr
Antal på lager: 67

N-kanal transistor AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (maks.): 5uA. On-resistance Rds On: 7.7m Ohms. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1100pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 110A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: AOY2610E. Omkostninger): 300pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 59.5W. RoHS: ja. Td(fra): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Teknologi: Trench Power AlphaSGTTM technology. Trr-diode (min.): 19 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.4V. Vgs (th) min.: 1.4V. Originalt produkt fra producenten: Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AOY2610E
31 parametre
ID (T=100°C)
36A
ID (T=25°C)
46A
Idss (maks.)
5uA
On-resistance Rds On
7.7m Ohms
Hus
TO-251 ( I-Pak )
Hus (i henhold til datablad)
TO-251 ( I-Pak )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1100pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
110A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
AOY2610E
Omkostninger)
300pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
59.5W
RoHS
ja
Td(fra)
22 ns
Td(on)
6.5 ns
Teknologi
Trench Power AlphaSGTTM technology
Trr-diode (min.)
19 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.4V
Vgs (th) min.
1.4V
Originalt produkt fra producenten
Alpha & Omega Semiconductors