N-kanal transistor AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v

N-kanal transistor AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
25.84kr
5-24
23.91kr
25-49
21.89kr
50+
20.08kr
Antal på lager: 62

N-kanal transistor AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (maks.): 25uA. On-resistance Rds On: 25m Ohms. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 655pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 95A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 40T03 GP. Omkostninger): 145pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 31.25W. RoHS: ja. Td(fra): 16 ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Advanced Power. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
AP40T03GJ
30 parametre
ID (T=100°C)
24A
ID (T=25°C)
28A
Idss (maks.)
25uA
On-resistance Rds On
25m Ohms
Hus
TO-251 ( I-Pak )
Hus (i henhold til datablad)
TO-251 ( I-Pak )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
655pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
95A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
40T03 GP
Omkostninger)
145pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
31.25W
RoHS
ja
Td(fra)
16 ns
Td(on)
6 ns
Teknologi
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Advanced Power