N-kanal transistor AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maks.): 10.4A. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 8:1. C (i): 450pF. Funktion: hurtig omskiftning, DC/DC konverter. GS-beskyttelse: ingen. Id(imp): 40A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 4800C G M. Omkostninger): 120pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Td(fra): 17 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: Enhancement Mode Power MOSFET. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Advanced Power. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45