N-kanal transistor APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

N-kanal transistor APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

Antal
Enhedspris
1-2
255.61kr
3-4
236.92kr
5-9
223.42kr
10+
214.27kr
Antal på lager: 8

N-kanal transistor APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.75 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 2600pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: hurtig skift, lav lækage. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 270pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 260W. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Td(fra): 45 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: Power MOSV. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Originalt produkt fra producenten: Advanced Power. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
APT8075BVRG
27 parametre
ID (T=25°C)
12A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.75 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
2600pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
hurtig skift, lav lækage
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
48A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
270pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
260W
Port/kildespænding (fra) min.
2V
Td(fra)
45 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
Power MOSV
Trr-diode (min.)
600 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Originalt produkt fra producenten
Advanced Power