N-kanal transistor BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

N-kanal transistor BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

Antal
Enhedspris
1-4
2.25kr
5-24
1.79kr
25-49
1.50kr
50-99
1.34kr
100+
1.16kr
Antal på lager: 319

N-kanal transistor BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (maks.): 18mA. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Spænding Vds (maks.): 18V. Afløbskildebeskyttelse: ingen. Antal terminaler: 4. C (i): 3pF. Funktion: VHF og UHF applikationer med 12V forsyningsspænding. GS-beskyttelse: ja. IDss (min): 2mA. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: M90. Omkostninger): 1.2pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Teknologi: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatur: +150°C. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

BF990A
21 parametre
ID (T=25°C)
30mA
Idss (maks.)
18mA
Hus
SOT-143
Hus (i henhold til datablad)
SOT-143
Spænding Vds (maks.)
18V
Afløbskildebeskyttelse
ingen
Antal terminaler
4
C (i)
3pF
Funktion
VHF og UHF applikationer med 12V forsyningsspænding
GS-beskyttelse
ja
IDss (min)
2mA
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
M90
Omkostninger)
1.2pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200mW
Teknologi
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatur
+150°C
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors