N-kanal transistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 100nA. On-resistance Rds On: 0.8 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 4. C (i): 250pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 10nA. Id(imp): 24A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 88pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8.3W. RoHS: ja. Td(fra): 21 ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.8V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14