N-kanal transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

N-kanal transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
12.83kr
5-49
11.67kr
50-99
10.90kr
100+
10.21kr
Antal på lager: 14

N-kanal transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 5 Ohms. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): SOT54. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 25pF. Funktion: Very fast switching, Logic level compatible. GS-beskyttelse: ingen. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 8.5pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. Td(fra): 12 ns. Td(on): 3 ns. Teknologi: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
BST72A
25 parametre
ID (T=25°C)
0.19A
Idss (maks.)
1uA
On-resistance Rds On
5 Ohms
Hus
TO-92
Hus (i henhold til datablad)
SOT54
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
25pF
Funktion
Very fast switching, Logic level compatible
GS-beskyttelse
ingen
IDss (min)
0.01uA
Id(imp)
0.8A
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
8.5pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.83W
Td(fra)
12 ns
Td(on)
3 ns
Teknologi
Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
30 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors