N-kanal transistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

N-kanal transistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
13.33kr
5-24
11.56kr
25-49
10.42kr
50-99
9.56kr
100+
8.16kr
Antal på lager: 31

N-kanal transistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 0.064 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): SOT-78 ( TO220AB ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 440pF. Funktion: Automotive, power switching, 12V og 24V Motor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 81A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 90pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(fra): 28 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Temperatur: +175°C. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
BUK9575-55A
33 parametre
ID (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
20A
Idss (maks.)
500uA
On-resistance Rds On
0.064 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
SOT-78 ( TO220AB )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
440pF
Funktion
Automotive, power switching, 12V og 24V Motor
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
10V
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
81A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
90pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
62W
RoHS
ja
Spec info
IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(fra)
28 ns
Td(on)
10 ns
Teknologi
TrenchMOS logic level POWER MOSFET
Temperatur
+175°C
Trr-diode (min.)
33 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors