N-kanal transistor BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V

N-kanal transistor BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
15.56kr
5-24
12.86kr
25-49
10.85kr
50+
9.88kr
Antal på lager: 6

N-kanal transistor BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 460pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 11.5A. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 55pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Td(fra): 50 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: V-MOS. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Siemens. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

BUZ77B
25 parametre
ID (T=100°C)
1.7A
ID (T=25°C)
2.9A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
3 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
600V
C (i)
460pF
Driftstemperatur
-50...+150°C
Funktion
BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
11.5A
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
55pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
75W
Td(fra)
50 ns
Td(on)
8 ns
Teknologi
V-MOS
Trr-diode (min.)
350 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2.1V
Originalt produkt fra producenten
Siemens