N-kanal transistor CM200DY-24H, 200A, andre, andre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Hus: andre. Hus (i henhold til datablad): andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 7. C (i): 40pF. CE-diode: ingen. Dimensioner: 108x62x31mm. Driftstemperatur: -40...+125°C. Funktion: Dobbelt IGBT-transistor (isoleret). Germanium diode: ingen. Ic (puls): 400A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 200A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Omkostninger): 14pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1500W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 6V. RoHS: ja. Spec info: High Power Switching. Td(fra): 300 ns. Td(on): 250 ns. Originalt produkt fra producenten: Mitsubishi Electric Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14