N-kanal transistor CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm plastikkasse, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Hus: WSON6. Hus (i henhold til datablad): 2 mm × 2 mm plastikkasse. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 6. C (i): 260pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. IDss (min): -. Id(imp): 57A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 140pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 17W. RoHS: ja. Td(fra): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Teknologi: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 1.8V. Vgs (th) min.: 0.9V. Originalt produkt fra producenten: Texas Instruments. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14