N-kanal transistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

N-kanal transistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

Antal
Enhedspris
1-4
25.82kr
5-24
23.04kr
25-49
21.33kr
50-99
20.12kr
100+
18.25kr
Antal på lager: 58

N-kanal transistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=100°C): -. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.0087 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263AB. Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1970pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): -. Id(imp): 100A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 250pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja. Td(fra): 28 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
FDB8447L
28 parametre
ID (T=25°C)
50A
Idss (maks.)
1uA
On-resistance Rds On
0.0087 Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-263AB
Spænding Vds (maks.)
40V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1970pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Id(imp)
100A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
250pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
60W
RoHS
ja
Td(fra)
28 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
PowerTrench MOSFET
Trr-diode (min.)
28 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor