N-kanal transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanal transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
26.90kr
5-49
25.58kr
50-99
24.29kr
100+
21.48kr
Antal på lager: 293

N-kanal transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.0088 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 2. Driftstemperatur: -55...+175°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Id(imp): 100A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 52W. RoHS: ja. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Trr-diode (min.): 25 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

FDD6296
22 parametre
ID (T=25°C)
50A
Idss (maks.)
1uA
On-resistance Rds On
0.0088 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
2
Driftstemperatur
-55...+175°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Id(imp)
100A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Pd (Strømafledning, maks.) )
52W
RoHS
ja
Teknologi
PowerTrench MOSFET
Trr-diode (min.)
25 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor