N-kanal transistor FDN335N, SuperSOT-3
Antal
Enhedspris
1-4
9.90kr
5-9
6.18kr
10-19
5.10kr
20-49
4.50kr
50+
4.08kr
| Antal på lager: 50 |
N-kanal transistor FDN335N, SuperSOT-3. Hus: SuperSOT-3. : Forbedret. Drænkildespænding: 20V. Effekt: 0.5W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Gate-source spænding: ±8V. Montering / installation: SMD. Oplade: 5nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: PowerTrench®. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 1.7A. Originalt produkt fra producenten: Onsemi. Antal på lager opdateret den 31/12/2025, 22:56
FDN335N
14 parametre
Hus
SuperSOT-3
Forbedret
Drænkildespænding
20V
Effekt
0.5W
Egenskaber af halvleder
Logisk niveau
Gate-source spænding
±8V
Montering / installation
SMD
Oplade
5nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
PowerTrench®
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
1.7A
Originalt produkt fra producenten
Onsemi