N-kanal transistor FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanal transistor FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
42.18kr
5-24
38.06kr
25-49
34.80kr
50-99
32.01kr
100+
28.25kr
Antal på lager: 58

N-kanal transistor FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.22 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 2200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 72A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 330pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 235W. RoHS: ja. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Td(fra): 95 ns. Td(on): 55 ns. Teknologi: N-Channel MOSFET (UniFET). Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
FDP18N50
31 parametre
ID (T=100°C)
10.8A
ID (T=25°C)
18A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.22 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
2200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
72A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
330pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
235W
RoHS
ja
Spec info
Faible charge de grille (45nC typique)
Td(fra)
95 ns
Td(on)
55 ns
Teknologi
N-Channel MOSFET (UniFET)
Trr-diode (min.)
500 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild